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SCTW35N65G2VAG

Name: STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW35N65G2VAG
Price: 11.55 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCTW35N65G2VAG

Herst.- Nr.:

SCTW35N65G2VAG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2

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Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

SCTW35N65G2VAG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	11.55 CHF	11.55 CHF
	8.64 CHF	86.40 CHF
	7.58 CHF	758.00 CHF
	6.92 CHF	4 152.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	HiP-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	45 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	67 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	73 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 200 C
Pd - Verlustleistung:	240 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Gewicht pro Stück:	4,500 g

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Datenblatt

SCTW35N65G2VAG Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

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