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Produktinfo. |
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| Aktuelles Produkt | Aktuelles Produkt | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bild: |
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| Mouser-Teilenr.: | 726-IPB120N10S405ATM | 726-IPB120N10S405ATM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Herst.-Teilenr.: | IPB120N10S405ATMA1 | IPB120N10S405ATMA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hersteller: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Beschreibung: | MOSFETs N-CHANNEL 100+ | MOSFETs N-CHANNEL 100+ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Lebenszyklus: | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Datenblatt: | IPB120N10S405ATMA1 Datenblatt (PDF) | IPB120N10S405ATMA1 Datenblatt (PDF) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Technische Daten |
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| Marke: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Kanalmodus: | Enhancement | Enhancement | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Konfiguration: | Single | Single | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Land der Bestückung: | MY | MY | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Land der Verbreitung: | DE | DE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ursprungsland: | DE | DE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Abfallzeit: | 35 ns | 35 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Id - Drain-Gleichstrom: | 120 A | 120 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hersteller: | Infineon | Infineon | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Maximale Betriebstemperatur: | + 175 C | + 175 C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C | - 55 C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Montageart: | SMD/SMT | SMD/SMT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Anzahl der Kanäle: | 1 Channel | 1 Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Verpackung/Gehäuse: | D2PAK-3 (TO-263-3) | D2PAK-3 (TO-263-3) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Verpackung: | Reel | Reel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pd - Verlustleistung: | 190 W | 190 W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Produkt-Typ: | MOSFETs | MOSFETs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Gate-Ladung: | 91 nC | 91 nC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Qualifikation: | AEC-Q101 | AEC-Q101 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 5 mOhms | 5 mOhms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Anstiegszeit: | 10 ns | 10 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Standardpackungsmenge: | 1000 | 1000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Unterkategorie: | Transistors | Transistors | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Technologie: | Si | Si | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Transistorpolung: | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Transistorart: | 1 N-Channel | 1 N-Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Regelabschaltverzögerungszeit: | 30 ns | 30 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 15 ns | 15 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: | 100 V | 100 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: | 2.7 V | 2.7 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Artikel # Aliases: | IPB120N10S4-05 SP001102592 | IPB120N10S4-05 SP001102592 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Bestellinformation |
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| Lagerbestand: | 14 438 sofort lieferbar | 14 438 sofort lieferbar | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Lieferzeit ab Hersteller: | 9 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind. | 9 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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