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Produktinfo. |
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| Bild: |
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| Mouser-Teilenr.: | 726-IMBG65R072M1HXTM | 726-IMBG65R075M2HXTM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Herst.-Teilenr.: | IMBG65R072M1HXTMA1 | IMBG65R075M2HXTMA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hersteller: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Beschreibung: | SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Lebenszyklus: | Not Recommended for New Designs | New Product | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Datenblatt: | IMBG65R072M1HXTMA1 Datenblatt (PDF) | IMBG65R075M2HXTMA1 Datenblatt (PDF) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Technische Daten |
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| Marke: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Kanalmodus: | Enhancement | Enhancement | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Land der Bestückung: | Not Available | MY | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Land der Verbreitung: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ursprungsland: | MY | AT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Id - Drain-Gleichstrom: | 33 A | 28 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hersteller: | Infineon | Infineon | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Maximale Betriebstemperatur: | + 175 C | + 175 C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Montageart: | SMD/SMT | SMD/SMT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Anzahl der Kanäle: | 1 Channel | 1 Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Verpackung: | Reel | Reel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pd - Verlustleistung: | 140 W | 124 W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Produkt: | MOSFETs | SiC MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Produkt-Typ: | SiC MOSFETS | SiC MOSFETS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Gate-Ladung: | 22 nC | 14.9 nC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 94 mOhms | 95 mOhms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Serie: | CoolSiC 650V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Standardpackungsmenge: | 1000 | 1000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Unterkategorie: | Transistors | Transistors | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Technologie: | SiC | SiC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Handelsname: | CoolSiC | CoolSiC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Transistorpolung: | N-Channel | N-Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: | 650 V | 650 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 5 V, + 23 V | - 7 V, + 23 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: | 5.7 V | 5.6 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Artikel # Aliases: | IMBG65R072M1H SP005539178 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Konfiguration: | - | Single | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Abfallzeit: | - | 5.5 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Verpackung/Gehäuse: | - | TO-263-7 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Anstiegszeit: | - | 5.3 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Transistorart: | - | 1 N-Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Typ: | - | MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Regelabschaltverzögerungszeit: | - | 12.8 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | - | 5.7 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Bestellinformation |
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| Lagerbestand: | 861 sofort lieferbar | 813 sofort lieferbar | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Lieferzeit ab Hersteller: | 52 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind. | 52 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Kaufen: |
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| Preis: |
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