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Bild: Product 595-CSD19536KTT Product 595-CSD19536KTTT
Mouser-Teilenr.: 595-CSD19536KTT 595-CSD19536KTTT
Herst.-Teilenr.: CSD19536KTT CSD19536KTTT
Hersteller: Texas Instruments Texas Instruments
Beschreibung: MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19536KTTT MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT
Lebenszyklus: - -
Datenblatt: CSD19536KTT Datenblatt CSD19536KTTT Datenblatt
RoHS:    

Technische Daten

Marke: Texas Instruments Texas Instruments
Kanalmodus: Enhancement Enhancement
Konfiguration: Single Single
Land der Bestückung: Not Available CN
Land der Verbreitung: Not Available CN
Ursprungsland: CN CN
Abfallzeit: 6 ns 6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 329 S 329 S
Id - Drain-Gleichstrom: 272 A 272 A
Hersteller: Texas Instruments Texas Instruments
Maximale Betriebstemperatur: + 175 C + 175 C
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C - 55 C
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes Yes
Montageart: SMD/SMT SMD/SMT
Anzahl der Kanäle: 1 Channel 1 Channel
Verpackung/Gehäuse: D2PAK-3 (TO-263-3) D2PAK-3 (TO-263-3)
Verpackung: Reel Reel
Pd - Verlustleistung: 375 W 375 W
Produkt-Typ: MOSFETs MOSFETs
Qg - Gate-Ladung: 118 nC 118 nC
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 2.4 mOhms 2.4 mOhms
Anstiegszeit: 8 ns 8 ns
Serie: CSD19536KTT CSD19536KTT
Standardpackungsmenge: 500 50
Unterkategorie: Transistors Transistors
Technologie: Si Si
Handelsname: NexFET NexFET
Transistorpolung: N-Channel N-Channel
Transistorart: 1 N-Channel 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 32 ns 32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13 ns 13 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 100 V 100 V
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 V, 20 V - 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2.1 V 2.1 V

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Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 4.27 CHF 4.27
CHF 2.97 CHF 29.70
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CHF 2.13 CHF 1 065.00
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Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 5.93 CHF 5.93
CHF 3.20 CHF 32.00
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CHF 3.20 CHF 160.00
CHF 2.84 CHF 284.00
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