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Produktinfo. |
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| Bild: |
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| Mouser-Teilenr.: | 241-BSS123_R2_00001 | 241-BSS123_R1_00001 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Herst.-Teilenr.: | BSS123_R2_00001 | BSS123_R1_00001 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hersteller: | Panjit | Panjit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Beschreibung: | MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected | MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Lebenszyklus: | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Datenblatt: | BSS123_R2_00001 Datenblatt (PDF) | BSS123_R1_00001 Datenblatt (PDF) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Technische Daten |
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| Marke: | Panjit | Panjit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Kanalmodus: | Enhancement | Enhancement | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Konfiguration: | Single | Single | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Land der Bestückung: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Land der Verbreitung: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ursprungsland: | TW | TW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Abfallzeit: | 20 ns | 20 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Id - Drain-Gleichstrom: | 170 mA | 170 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hersteller: | Panjit | Panjit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C | + 150 C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C | - 55 C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Montageart: | SMD/SMT | SMD/SMT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Anzahl der Kanäle: | 1 Channel | 1 Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Verpackung/Gehäuse: | SOT-23-3 | SOT-23-3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Verpackung: | Reel | Reel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pd - Verlustleistung: | 500 mW | 500 mW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Produkt-Typ: | MOSFETs | MOSFETs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Gate-Ladung: | 1.8 nC | 1.8 nC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 10 Ohms | 10 Ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Anstiegszeit: | 19 ns | 19 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Standardpackungsmenge: | 12000 | 3000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Unterkategorie: | Transistors | Transistors | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Technologie: | Si | Si | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Transistorpolung: | N-Channel | N-Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Transistorart: | 1 N-Channel | 1 N-Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Regelabschaltverzögerungszeit: | 8.2 ns | 8.2 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 3.4 ns | 3.4 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: | 100 V | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: | 2.5 V | 2.5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Serie: | - | NFET-100TMN | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Bestellinformation |
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| Lagerbestand: | Nicht auf Lager | 2 822 sofort lieferbar | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auf Bestellung: |
-
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6000
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| Lieferzeit ab Hersteller: | 34 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks. |
14
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
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| Preis: |
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