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APS6408L-3OBM-BA

Name: AP Memory Technology APS6408L-3OBM-BA
Brand: AP Memory
SKU: 878-APS6408L-3OBM-BA
Price: 1.95 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

878-APS6408L-3OBM-BA

Herst.- Nr.:

APS6408L-3OBM-BA

Herst.:

AP Memory

Beschreibung:

DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24

Datenblatt:

APS6408L-3OBM-BA Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 1.56	CHF 1 560.00
	CHF 1.53	CHF 3 825.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	AP Memory Technology
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße:	64 Mbit
Datenbus-Weite:	8 bit
Maximale Taktfrequenz:	133 MHz
Verpackung/Gehäuse:	BGA-24
Organisation:	8 M x 8
Zugangszeit:	5.5 ns
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	IoT RAM
Verpackung:	Tray
Marke:	AP Memory
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	4800
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	APMemory
Gewicht pro Stück:	152 mg

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Datenblatt

APS6408L-3OBM-BA Datenblatt

Models

APS6408L-3OBM-BA Symbol & Footprint by SnapMagic

Certificate of Compliance (PDF)

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Octal SPI (OPI & HPI) PSRAM DDRs in BGA24 Package

AP Memory Octal SPI (OPI and HPI) PSRAM DDRs in the BGA24 package feature 64Mb up to 512M densities with x8 or x16 organization. The DDRs support a maximum clock frequency of 133MHz for devices operating at 3V supply and up to 200MHz for the 1.8V supply version. The Octal SPI PSRAM DDRs offer a -40°C to 85°C default industrial grade temperature and an -40°C to 105°C extended temperature range. AP Memory Octal SPI (OPI and HPI) PSRAM DDRs are ideal in memory selection for SoC applications requiring low pin count and ultra-low power extended memory.