AS7C325632-10BIN

Name: Alliance Memory AS7C325632-10BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS7C325632-10BIN
Price: 23.05 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

913-AS7C325632-10BIN

Herst.- Nr.:

AS7C325632-10BIN

Herst.:

Alliance Memory

Beschreibung:

SRAM 8M, 3.3V, 10ns, FAST 256K X 32 Asyn SRAM

Datenblatt:

AS7C325632-10BIN Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Alliance Memory
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	8 Mbit
Organisation:	256 k x 32
Zugangszeit:	10 ns
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsstrom - Max.:	180 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TFBGA-90
Verpackung:	Tray
Marke:	Alliance Memory
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Speichertyp:	SDR
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	AS7C325632
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Typ:	High Speed

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Datenblatt

AS7C325632-10BIN Datenblatt (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.a

Fast Asynchronous SRAM Devices

Alliance Memory Fast Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are high-performance CMOS SRAMs designed for performance and reliability. These devices are ideal for memory applications where fast data access and simple interfacing are desired. The Fast Asynchronous SRAM modules feature low power consumption. These devices support the full range of 1.6V and 5V asynchronous SRAMs used with mainstream Digital Signal Processors (DSPs) and microcontrollers. Typical applications include commercial products, consumer products, industrial products, and medical products.