SA111PQ

Apex Microtechnology
137-SA111PQ
SA111PQ

Herst.:

Beschreibung:
Intelligente Leistungsmodule – IPMs 650 V, 24 A Silicon Carbide Intelligent Power Module Half-Bridge

Datenblatt:
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Apex Microtechnology
Produktkategorie: Intelligente Leistungsmodule – IPMs
RoHS:  
Marke: Apex Microtechnology
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.: 650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter: 650 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C: 24 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: US
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse: QFP-52
Verpackung: Tray
Pd - Verlustleistung: 56 W
Produkt-Typ: Intelligent Power Modules - IPMs
Serie: SA111
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Technologie: SiC
Typ: Half-Bridge
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Application Notes

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

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CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide (SiC) Integrated Power Modules

Apex Microtechnology Silicon Carbide (SiC) Integrated Power Modules are integrated with a digitally controlled gate drive and feature under-voltage lock-out and active Miller clamping. These power modules operate at up to 650V maximum supply voltage and -55°C to 125°C storage temperature range. The silicon carbide integrated power modules are suitable for DC/AC converters, DC/DC converters, and motor drives.

SA111PQ Siliziumkarbid-Halbbrücken-Leistungsmodul

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