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DGD2101MS8-13

Name: Diodes Incorporated DGD2101MS8-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DGD2101MS8-13
Price: 0.9 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DGD2101MS8-13

Herst.- Nr.:

DGD2101MS8-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

Gate-Treiber HV Gate Driver

Datenblatt:

DGD2101MS8-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.907	CHF 0.91
	CHF 0.652	CHF 6.52
	CHF 0.59	CHF 14.75
	CHF 0.52	CHF 52.00
	CHF 0.488	CHF 122.00
	CHF 0.467	CHF 233.50
	CHF 0.451	CHF 451.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.434	CHF 1 085.00
	CHF 0.424	CHF 2 120.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	600 mA
Versorgungsspannung - Min.:	10 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Anstiegszeit:	70 ns
Abfallzeit:	35 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	220 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	220 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	150 uA
Pd - Verlustleistung:	625 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Abschaltung:	No Shutdown
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	750 mg

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Datenblatt

DGD2101MS8-13 Datenblatt (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

DGD-Halbbrücken-Gate-Treiber

Diodes Inc. DGD-Halbbrücken-Gate-Treiber sind Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber, die n-Kanal-MOSFETs und IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration antreiben können. Hochspannungsverarbeitungstechniken ermöglichen es der High-Side auf die Offsetspannung in einem Bootstrap-Betrieb umzuschalten. Die DGD-Logikeingänge sind mit den Standard-TTL- und CMOS-Pegeln (bis zu 3,3 V) kompatibel, um problemlos mit Steuergeräten zu kommunizieren. Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für DC/DC-Wandler, DC/AC-Wechselrichter, AC/DC-Netzteile, Motorsteuerungen und Leistungsverstärker der Klasse D.

Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.