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DMN53D0LW-13

Name: Diodes Incorporated DMN53D0LW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0LW-13
Price: 0.27 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMN53D0LW-13

Herst.- Nr.:

DMN53D0LW-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF

Datenblatt:

DMN53D0LW-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.275	CHF 0.28
	CHF 0.16	CHF 1.60
	CHF 0.098	CHF 9.80
	CHF 0.071	CHF 35.50
	CHF 0.061	CHF 61.00
	CHF 0.055	CHF 137.50
	CHF 0.046	CHF 230.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	CHF 0.027	CHF 270.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

DMN53D0LW-7

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.19

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-323-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	50 V
Id - Drain-Gleichstrom:	360 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	800 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	420 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	80 mS
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2.5 ns
Serie:	DMN53
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	18.9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2.7 ns
Gewicht pro Stück:	6 mg

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Datenblatt

DMN53D0LW-13 Datenblatt (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

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