Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

BC846B-Q

Name: Diotec Semiconductor BC846B-Q
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-BC846B-Q
Price: 0.08 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-BC846B-Q

Herst.- Nr.:

BC846B-Q

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT BJT, SOT-23, 65V, 100mA, NPN, 0.25W, 150C

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

BC846B-Q Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Diotec Semiconductor BC846B-Q

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 12 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 0.081	CHF 0.08
	CHF 0.05	CHF 0.50
	CHF 0.042	CHF 4.20
	CHF 0.033	CHF 16.50
	CHF 0.029	CHF 29.00
	CHF 0.022	CHF 55.00
	CHF 0.014	CHF 140.00
	CHF 0.011	CHF 550.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	65 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	80 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	200 mV
Pd - Verlustleistung:	250 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	300 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Marke:	Diotec Semiconductor
Kollektorgleichstrom:	100 mA
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC Stromverstärkung hFE max.:	800 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Unterkategorie:	Transistors

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

BC846B-Q Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor

Diotec Semiconductor BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor features three current gain groups in a SOT-23 package and complies with RoHS and REACH. This transistor operates at 65V collector-emitter voltage, 80V collector-base voltage, 6V emitter-base voltage, and 200mA peak collector current. The BC846B-Q NPN transistor utilizes bond wires for commercial grades and AU bond wires for all other grades. The commercial-grade transistor features 200mW of power dissipation with <625K/W thermal resistance junction to ambient. The industrial-grade transistor features 250mW of power dissipation with <420K/W thermal resistance junction to ambient. The BC846B-Q NPN transistor is housed in a UL 94V-0 case material and available in a small SOT-363 Surface-Mount Device (SMD) package. This NPN transistor is ideal for signal processing, switching, amplification, and commercial and industrial-grade use.