Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

DIT100N10

Name: Diotec Semiconductor DIT100N10
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIT100N10
Price: 1.94 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-DIT100N10

Herst.- Nr.:

DIT100N10

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 100V, 100A, 175C, N

Datenblatt:

DIT100N10 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Diotec Semiconductor DIT100N10

Auf Lager: 1 121

Lagerbestand:: 1 121 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 9 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.94	CHF 1.94
	CHF 0.859	CHF 8.59
	CHF 0.773	CHF 77.30
	CHF 0.681	CHF 340.50
	CHF 0.603	CHF 1 507.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	85 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	200 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	DIT100N10
Verpackung:	Tube
Marke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	55 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	100 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	50 ns
Serie:	DIT0/1
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	95 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	65 ns
Gewicht pro Stück:	2.820 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

DIT100N10 Datenblatt (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.