EPC2070

EPC
65-EPC2070
EPC2070

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85

Lebenszyklus:
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CHF 0.478 CHF 239.00
CHF 0.437 CHF 437.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 0.392 CHF 980.00
CHF 0.368 CHF 1 840.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
EPC
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-6
N-Channel
1 Channel
100 V
1.7 A
23 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
1.9 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marke: EPC
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 1.500 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99