EPC2092

EPC
65-EPC2092
EPC2092

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP

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Datenblatt:
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EPC
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
N - Channel
1 Channel
100 V
69 A
3.2 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
12 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marke: EPC
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Verpackung: Reel
Produkt: Power Transistor
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

USHTS:
8541290040

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