EPC2103

EPC
65-EPC2103
EPC2103

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

Lebenszyklus:
Neu bei Mouser
Datenblatt:
ECAD Model:
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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
EPC
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
Die
N-Channel
2-Channel
80 V
30 A
5.5 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
6.5 nC, 6.5 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marke: EPC
Konfiguration: Dual
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 500
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 2 N-Channel
Typ: Half-Bridge
Gewicht pro Stück: 23 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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