GS81313LQ36GK-714

GSI Technology
464-GS81313LQ36GK714
GS81313LQ36GK-714

Herst.:

Beschreibung:
SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M

ECAD Model:
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GSI Technology
Produktkategorie: SRAM
RoHS:  
144 Mbit
4 M x 36
714 MHz
Parallel
1.35 V
1.2 V
2.35 A
0 C
+ 85 C
SMD/SMT
BGA-260
Tray
Marke: GSI Technology
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: Not Available
Speichertyp: DDR
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: SRAM
Serie: GS81313LQ36GK
Verpackung ab Werk: 10
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Handelsname: SigmaQuad-IIIe
Typ: SigmaQuad-IIIe B2
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b

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