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IS42S32160F-75EBLI

Name: ISSI IS42S32160F-75EBLI
Brand: ISSI
SKU: 870-42S32160F75EBLI
Price: 9.78 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-42S32160F75EBLI

Herst.- Nr.:

IS42S32160F-75EBLI

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT

Datenblatt:

IS42S32160F-75EBLI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM
Speichergröße:	512 Mbit
Datenbus-Weite:	32 bit
Maximale Taktfrequenz:	133 MHz
Verpackung/Gehäuse:	BGA-90
Organisation:	16 M x 32
Zugangszeit:	6 ns
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	IS42S32160F
Verpackung:	Reel
Marke:	ISSI
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	140 mA

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Datenblatt

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CNHTS:: 8542320000
USHTS:: 8542320028
JPHTS:: 854232021
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

3,3V Single Data Rate (SDR) synchroner DRAM

ISSIs 3,3V Single Data Rate (SDR) synchroner DRAM bietet eine breite Auswahl an SDR SDRAM mit Speicherdichten von 16Mbit bis zu 512Mbit in Speicheranordnungen von 1Mx16, 4Mx16 und 8Mx16. Jede dieser Komponenten verfügt über eine einzelne Versorgungsspannung (3,3V +/-0,3V), Standard-SDRAM-Taktung, LVTTL-kompatible Eingänge, programmierbare Burst-Länge von 1, 2, 4, 8 oder Full-Page, Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi sowie eine programmierbare CAS-Latenz von 2 oder 3. Typische Anwendungsbereiche für diese Komponenten sind unter anderem drahtlose Zugangspunkte, Basisstationen, Router, Netzwerkspeicher, Energiemanagement-Anwendungen, industrielle Steuerungen, Infotainment in Fahrzeugen und Fahrzeug-Telematik.
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