IS66WV51216EBLL-55TLI

Name: ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66WV512EBLL55TLI
Price: 3.57 CHF
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

870-66WV512EBLL55TLI

Herst.- Nr.:

IS66WV51216EBLL-55TLI

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns

Datenblatt:

IS66WV51216EBLL-55TLI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	8 Mbit
Organisation:	512 k x 16
Zugangszeit:	55 ns
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:	2.5 V
Versorgungsstrom - Max.:	28 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Marke:	ISSI
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	TW
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	IS66WV51216EBLL
Verpackung ab Werk:	135
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Gewicht pro Stück:	2.870 g

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Models

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
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JPHTS:: 854232019
TARIC:: 8542324500
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Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.