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IS66WV51216EBLL-70TLI

Name: ISSI IS66WV51216EBLL-70TLI
Brand: ISSI
SKU: 870-6651216EBLL70TLI
Price: 3.15 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-6651216EBLL70TLI

Herst.- Nr.:

IS66WV51216EBLL-70TLI

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS

Datenblatt:

IS66WV51216EBLL-70TLI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

IS66WV51216EBLL-70TLI-TR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 3.00

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	8 Mbit
Organisation:	512 k x 16
Zugangszeit:	70 ns
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:	2.5 V
Versorgungsstrom - Max.:	28 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-44
Marke:	ISSI
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Speichertyp:	SDR
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	IS66WV51216EBLL
Verpackung ab Werk:	135
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Typ:	Asynchronous
Gewicht pro Stück:	470 mg

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Datenblatt

IS66WV51216EBLL-70TLI Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.