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LF21064NTR

Name: IXYS LF21064NTR
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-LF21064NTR
Price: 1.16 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-LF21064NTR

Herst.- Nr.:

LF21064NTR

Herst.:

IXYS Integrated Circuits

Beschreibung:

Gate-Treiber HI LO Side DRVR 130mA SOIC(N)-14

Datenblatt:

LF21064NTR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.16 CHF	1.16 CHF
	0.842 CHF	8.42 CHF
	0.763 CHF	19.08 CHF
	0.677 CHF	67.70 CHF
	0.638 CHF	159.50 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.638 CHF	1 595.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Driver ICs - Various
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-14
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Versorgungsspannung - Min.:	10 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Anstiegszeit:	100 ns
Abfallzeit:	35 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	IXYS Integrated Circuits
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Logiktyp:	CMOS, TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	280 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	300 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	120 uA
Pd - Verlustleistung:	1 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	30 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

LF21064NTR Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
ECCN:: EAR99

Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs

Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS umfassen Hochspannungs-Gate-Treiber mit hoher Geschwindigkeit und dreiphasige Gate-Treiber-ICs. Diese Bauteile sind für die Ansteuerung von zwei N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration oder High-Side/Low-Side-Konfiguration ausgelegt. Die Hochspannungstechnologie ermöglicht es, die Hochspannungsseite im Bootstrap-Betrieb auf 600 V zu schalten. Die Treiber bieten Puffer mit hohem Impulsstrom, die für minimale Treiber-Querströme ausgelegt sind. Zu den weiteren Merkmalen gehören Logikschaltungen mit 3,3-V-Fähigkeit, Schmitt-getriggerte Logikeingänge und UVLO-Schutz (Unterspannungssperre). Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS arbeiten über einen erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C.

High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs

IXYS High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs bieten eine Senken-/Quellen-Ausgangsstrombelastbarkeit von 600 mA/290 mA bis 4,5 A/4,5 A. Die Bauteile verfügen über einen großen Betriebsspannungsbereich von 10 V bis 20 V. Zu den Schutzfunktionen gehören Unterspannungssperre (UVLO) und Durchzündungsschutz. Die High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs von IXYS werden von -40 °C bis +125 °C betrieben und sind in SOIC-8-, -14-, -16-Industriestandard-Gehäusen und Pinbelegungen verfügbar.