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LF2136BTR

Name: IXYS LF2136BTR
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-LF2136BTR
Price: 2.33 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-LF2136BTR

Herst.- Nr.:

LF2136BTR

Herst.:

IXYS Integrated Circuits

Beschreibung:

Gate-Treiber 3-Phase Half-Bridge DRVR 120mA SOIC-28

Datenblatt:

LF2136BTR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.33	CHF 2.33
	CHF 1.74	CHF 17.40
	CHF 1.59	CHF 39.75
	CHF 1.43	CHF 143.00
	CHF 1.36	CHF 340.00
	CHF 1.32	CHF 660.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 1.32	CHF 1 980.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-28
Anzahl der Treiber:	6 Driver
Anzahl der Ausgänge:	6 Output
Versorgungsspannung - Min.:	10 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Anstiegszeit:	90 ns
Abfallzeit:	35 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	IXYS Integrated Circuits
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Logiktyp:	CMOS, TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	460 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	460 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	1.1 mA
Pd - Verlustleistung:	1.6 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	50 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

LF2136BTR Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
ECCN:: EAR99

Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs

Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS umfassen Hochspannungs-Gate-Treiber mit hoher Geschwindigkeit und dreiphasige Gate-Treiber-ICs. Diese Bauteile sind für die Ansteuerung von zwei N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration oder High-Side/Low-Side-Konfiguration ausgelegt. Die Hochspannungstechnologie ermöglicht es, die Hochspannungsseite im Bootstrap-Betrieb auf 600 V zu schalten. Die Treiber bieten Puffer mit hohem Impulsstrom, die für minimale Treiber-Querströme ausgelegt sind. Zu den weiteren Merkmalen gehören Logikschaltungen mit 3,3-V-Fähigkeit, Schmitt-getriggerte Logikeingänge und UVLO-Schutz (Unterspannungssperre). Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS arbeiten über einen erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C.