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IXBT10N170

Name: IXYS IXBT10N170
Brand: IXYS
SKU: 747-IXBT10N170
Price: 9.71 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXBT10N170

Herst.- Nr.:

IXBT10N170

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds

Datenblatt:

IXBT10N170 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.7 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	3.4 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	20 A
Pd - Verlustleistung:	140 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	IXBT10N170
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	40 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	BIMOSFET
Gewicht pro Stück:	4.500 g

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IXBT10N170 Datenblatt

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KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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