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IXFA36N20X3

Name: IXYS IXFA36N20X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA36N20X3
Price: 4.7 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFA36N20X3

Herst.- Nr.:

IXFA36N20X3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs TO263 200V 36A N-CH X3CLASS

Datenblatt:

IXFA36N20X3 Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	45 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	21 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	170 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	HiPerFET
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	54 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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