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IXFK250N10P

Name: IXYS IXFK250N10P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK250N10P
Price: 20.38 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFK250N10P

Herst.- Nr.:

IXFK250N10P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET

Datenblatt:

IXFK250N10P Datenblatt

ECAD Model:

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Herst.:

IXYS

Herst.- Nr.:

IXFK420N10T

Beschreibung:

MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-264-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	250 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	205 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	1.25 kW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	18 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	50 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	IXFK250N10
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	10 g

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Datenblatt

IXFK250N10P Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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