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IXFK32N100X

Name: IXYS IXFK32N100X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK32N100X
Price: 19.65 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFK32N100X

Herst.- Nr.:

IXFK32N100X

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

Datenblatt:

IXFK32N100X Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-264-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	32 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	220 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	130 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	890 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	14 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12 ns
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	29 ns
Gewicht pro Stück:	10 g

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Datenblatt

IXFK32N100X Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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