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IXFK360N15T2

Name: IXYS IXFK360N15T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK360N15T2
Price: 26.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFK360N15T2

Herst.- Nr.:

IXFK360N15T2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Datenblatt:

IXFK360N15T2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-264-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	360 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	715 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	1.67 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	265 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	140 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	170 ns
Serie:	IXFK360N15
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	115 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	50 ns
Gewicht pro Stück:	10 g

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Datenblatt

IXFK360N15T2 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

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