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IXFK50N85X

Name: IXYS IXFK50N85X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK50N85X
Price: 15.64 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFK50N85X

Herst.- Nr.:

IXFK50N85X

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

Datenblatt:

IXFK50N85X Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-264-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	850 V
Id - Drain-Gleichstrom:	50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	105 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	152 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	890 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	14 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	19 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	X-Class
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	69 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	27 ns
Gewicht pro Stück:	10 g

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IXFK50N85X Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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