IXFN100N20

Name: IXYS IXFN100N20
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN100N20
Price: 18.24 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN100N20

Herst.- Nr.:

IXFN100N20

Herst.:

IXYS

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Lagerbestand:: Nicht auf Lager

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: Voraussichtlichen Liefertermin anfordern

Menge eingeben:

Minimum: 10 Vielfache: 10

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Technologie:	Si
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Abfallzeit:	30 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Pd - Verlustleistung:	520 W
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	23 mOhms
Anstiegszeit:	80 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules
Handelsname:	HyperFET
Transistorpolung:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Gewicht pro Stück:	30 g