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IXFN360N10T

Name: IXYS IXFN360N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN360N10T
Price: 23.14 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN360N10T

Herst.- Nr.:

IXFN360N10T

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module 360 Amps 100V

Datenblatt:

IXFN360N10T Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	360 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	830 W
Serie:	IXFN360N10
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	160 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	100 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	47 ns
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

IXFN360N10T Datenblatt

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CNHTS:: 8504901900
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low R_DS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.