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IXFN360N15T2

Name: IXYS IXFN360N15T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN360N15T2
Price: 39.42 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN360N15T2

Herst.- Nr.:

IXFN360N15T2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Datenblatt:

IXFN360N15T2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	310 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	1.07 mW
Serie:	IXFN360N15
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	265 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	170 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	GigaMOS Trench T2 HiperFet
Regelabschaltverzögerungszeit:	115 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	50 ns
Vr - Sperrspannung:	60 V
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

IXFN360N15T2 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A (T_C=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.