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IXFN55N50

Name: IXYS IXFN55N50
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN55N50
Price: 29.05 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN55N50

Herst.- Nr.:

IXFN55N50

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module 55 Amps 500V 0.08 Rds

Datenblatt:

IXFN55N50 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	55 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	90 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	625 W
Serie:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	45 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	60 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HyperFET
Typ:	HiperFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	120 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	45 ns
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

IXFN55N50 Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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