IXFN82N60Q3

IXYS
747-IXFN82N60Q3
IXFN82N60Q3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A

Datenblatt:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
600 V
66 A
75 mOhms
- 30 V, + 30 V
960 W
IXFN82N60
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: KR
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Anstiegszeit: 300 ns
Verpackung ab Werk: 10
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Handelsname: HiPerFET
Gewicht pro Stück: 30 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541900000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .

HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs der Q3-Klasse

IXYS Q3-Klasse HiperFET™ Leistungs-MOSFETs bieten dem Endverbraucher ein großes Angebot von Bauteilen, die eine außergewöhnliche Stromschaltleistung aufweisen. Sie bieten außerdem hervorragende thermische Eigenschaften, eine verbesserte Robustheit der Bauteile und eine hohe Energieeffizienz. Diese MOSFETs sind mit einer Drain-Source-Spannung von 200 V bis 1.000 V und einem Drainstrom von 10 A bis 100 A erhältlich. Diese Eigenschaften machen die Q3-Klasse zu einer optimierten Kombination aus niedrigem Einschaltwiderstand (Rdson) und einer Gate-Ladung (Qg), wodurch die Leitungs- und Schaltverluste des Bauteils erheblich reduziert werden. Durch die Verwendung des HiperFET-Prozesses werden die Stromschaltfunktionen und die Robustheit der Bauteile weiter verbessert. Dieser Prozess führt zu einem Bauteil mit einem schnellen intrinsischen Gleichrichter, der für eine niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) sorgt und gleichzeitig die dv/dt-Werte des Bauteils verbessert (bis zu 50 V/ns).

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