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IXFP4N85XM

Name: IXYS IXFP4N85XM
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP4N85XM
Price: 3.48 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFP4N85XM

Herst.- Nr.:

IXFP4N85XM

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr MOSFET

Datenblatt:

IXFP4N85XM Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	850 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.5 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	150 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.2 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	27 ns
Serie:	X-Class
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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IXFP4N85XM Datenblatt

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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