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IXFP80N25X3

Name: IXYS IXFP80N25X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP80N25X3
Price: 8.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFP80N25X3

Herst.- Nr.:

IXFP80N25X3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

Datenblatt:

IXFP80N25X3 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	250 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	13 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	83 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	390 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	KR
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	38 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17 ns
Serie:	X3-Class
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

IXFP80N25X3 Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ultra-Junction-MOSFETs

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