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IXFP90N20X3

Name: IXYS IXFP90N20X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP90N20X3
Price: 7.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFP90N20X3

Herst.- Nr.:

IXFP90N20X3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 200V/90A X3-Class HiPerFET

Datenblatt:

IXFP90N20X3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	90 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	78 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	390 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	40 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	26 ns
Serie:	IXFP10N60
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	62 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

IXFP90N20X3 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ladelösungen für Elektrofahrzeuge

Die EV-(Elektrofahrzeug)-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind. Off-Board-EV-Ladestationen arbeiten in rauen Umgebungen, die extremer Hitze, Kälte, Regen, Schnee und Blitzschlägen ausgesetzt sind. Produkte von Littelfuse schützen gegen diese Gefahren und reduzieren das Risiko von Fehlern.

Wärmepumpen

Littelfuse bietet ein großes Portfolio an Bauelementen für Wärmepumpen, einschließlich Sicherungen, TVS-Dioden, Gate-Treiber und mehr. Der Markt für Wärmepumpen wächst schnell, angetrieben von Regierungsinitiativen zur Reduzierung von Treibhausgasemissionen und steigenden Energiekosten. Da Umrichtermotoren die Systemeffizienz verbessern, können Wärmepumpen nun unter vielen Klimabedingungen eingesetzt werden. Erfahren Sie, wie die Technologien von Littelfuse Wärmepumpen sicherer, zuverlässiger und energieeffizienter machen. Wärmepumpen können unter vielen Klimabedingungen eingesetzt werden, da die Umrichtermotoren die Systemeffizienz verbessern. Diese Bauelemente eignen sich für verschiedene Applikationen, beispielsweise Energiemanagement, Sicherheitssysteme, HLK-Systeme, Rauchmelder und IoT-gesteuerte Haushaltsgeräte. Littelfuse bietet Schutz-, Steuerungs- und Sensortechnologien zur Verbesserung der Sicherheit, Zuverlässigkeit und Energieeffizienz von Gebäuden.

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Solar-Wechselrichter und Batterie-Energiesspeichersysteme

Littelfuse Solar-Wechselrichter und Batterie-Energiespeichersysteme (BESS) können sowohl in AC- als auch DC-gekoppelten Solarsystemen betrieben werden. Das AC-gekoppelte Solarsystem verfügt über zwei Wechselrichter, die eine höhere Flexibilität und eine einfachere Installation bieten. DC-gekoppelte Solarsysteme verfügen über einen einzelnen Wechselrichter und bieten einen höheren Wirkungsgrad, da die kürzeren Kabel zwischen BESS und PV die Verluste reduzieren. Die Solarwechselrichter und BESS-Komponenten von Littelfuse umfassen TVS-Dioden, MOSFETs, IGBT-Treiber, Sicherungen, Relais und vieles mehr.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

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X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™

IXYS X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™ sind Avalanche-fähige schnelle intrinsische Dioden mit n-Kanal-Anreichungsmodus. Diese MOSFETs verfügen über eine geringe R_DS(ON), eine niedrige Gate-Ladung (Q_G) und eine hohe Leistungsdichte. Die 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPERFET™ der X3-Klasse von IXYS entfernen während des Hochgeschwindigkeitsschaltens Restenergien zur Vermeidung von Bauteilausfällen.Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Netzteile, Robotik, Servosteuerungen und Ladegeräte für Elektro-Leichtfahrzeuge.

Ultra-Junction-MOSFETs

Die Ultra-Junction-MOSFETs von IXYS verfügen über einen niedrigen R_DS(on) und eine niedrige Q_g in Industriestandard-Gehäusen mit niedriger Induktivität. Diese Bauteile ermöglichen eine hohe Leistungsdichte, eine einfache Montage und Platzeinsparungen. Die Ultra-Junction-MOSFETs sind ideale Lösungen in SNT, DC/DC-Wandlern, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantriebe sowie Robotik-/Servo-Steuerungen.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.