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IXFQ8N85X

Name: IXYS IXFQ8N85X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFQ8N85X
Price: 6.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFQ8N85X

Herst.- Nr.:

IXFQ8N85X

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs TO3P 850V 8A N-CH XCLASS

Datenblatt:

IXFQ8N85X Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3P-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	850 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	850 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	17 nC
Pd - Verlustleistung:	200 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	23 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.7 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	1.600 g

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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