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IXFQ94N30P3

Name: IXYS IXFQ94N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFQ94N30P3
Price: 10.68 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFQ94N30P3

Herst.- Nr.:

IXFQ94N30P3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Datenblatt:

IXFQ94N30P3 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3P-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	300 V
Id - Drain-Gleichstrom:	94 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	36 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	102 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.04 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	IXFQ94N30
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	1.600 g

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PCN

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542900006
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

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