IXFX210N30X3

IXYS
747-IXFX210N30X3
IXFX210N30X3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS

Datenblatt:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-PLUS-3
N-Channel
1 Channel
300 V
210 A
5.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
375 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 mW
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: KR
Abfallzeit: 15 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 84 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 40 ns
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 210 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 38 ns
Gewicht pro Stück: 6 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Wärmepumpen

Littelfuse bietet ein großes Portfolio an Bauelementen für Wärmepumpen, einschließlich Sicherungen, TVS-Dioden, Gate-Treiber und mehr. Der Markt für Wärmepumpen wächst schnell, angetrieben von Regierungsinitiativen zur Reduzierung von Treibhausgasemissionen und steigenden Energiekosten. Da Umrichtermotoren die Systemeffizienz verbessern, können Wärmepumpen nun unter vielen Klimabedingungen eingesetzt werden. Erfahren Sie, wie die Technologien von Littelfuse Wärmepumpen sicherer, zuverlässiger und energieeffizienter machen. Wärmepumpen können unter vielen Klimabedingungen eingesetzt werden, da die Umrichtermotoren die Systemeffizienz verbessern. Diese Bauelemente eignen sich für verschiedene Applikationen, beispielsweise Energiemanagement, Sicherheitssysteme, HLK-Systeme, Rauchmelder und IoT-gesteuerte Haushaltsgeräte. Littelfuse bietet Schutz-, Steuerungs- und Sensortechnologien zur Verbesserung der Sicherheit, Zuverlässigkeit und Energieeffizienz von Gebäuden.

HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse

Die IXYS HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse sind verbesserte Avalanche-bewertete schnelle intrinsische Dioden. Diese MOSFETs verfügen über eine hohe Leistungsdichte und geringe Gehäuseinduktivität mit geringem RDS(ON) und geringem QG. Die MOSFETs der X-Klasse sind in internationalen Standardgehäusen erhältlich. Typische Applikationen sind Schaltnetzteile und Resonanznetzteile, Robotik- und Servosteuerungen und ähnliche Applikationen.
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Solar-Wechselrichter und Batterie-Energiesspeichersysteme

Littelfuse Solar-Wechselrichter und Batterie-Energiespeichersysteme (BESS) können sowohl in AC- als auch DC-gekoppelten Solarsystemen betrieben werden. Das AC-gekoppelte Solarsystem verfügt über zwei Wechselrichter, die eine höhere Flexibilität und eine einfachere Installation bieten. DC-gekoppelte Solarsysteme verfügen über einen einzelnen Wechselrichter und bieten einen höheren Wirkungsgrad, da die kürzeren Kabel zwischen BESS und PV die Verluste reduzieren. Die Solarwechselrichter und BESS-Komponenten von Littelfuse  umfassen TVS-Dioden, MOSFETs, IGBT-Treiber, Sicherungen, Relais und vieles mehr.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.

X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™

IXYS X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™ sind Avalanche-fähige schnelle intrinsische Dioden mit n-Kanal-Anreichungsmodus. Diese MOSFETs verfügen über eine geringe RDS(ON), eine niedrige Gate-Ladung (QG) und eine hohe Leistungsdichte. Die 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPERFET™ der X3-Klasse von IXYS entfernen während des Hochgeschwindigkeitsschaltens Restenergien zur Vermeidung von Bauteilausfällen.Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Netzteile, Robotik, Servosteuerungen und Ladegeräte für Elektro-Leichtfahrzeuge.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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