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IXFX26N100P

Name: IXYS IXFX26N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX26N100P
Price: 22.86 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFX26N100P

Herst.- Nr.:

IXFX26N100P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 26 Amps 1000V

Datenblatt:

IXFX26N100P Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	390 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	780 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	50 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	45 ns
Serie:	IXFX26N100
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	72 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	45 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXFX26N100P Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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