IXFX55N50

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFX55N50

Herst.- Nr.:

IXFX55N50

Herst.:

IXYS

Lebenszyklus:

Sonderbestellung ab Werk:

Holen Sie ein Angebot ein, um den aktuellen Preis, die Durchlaufzeit und die Bestellanforderungen des Herstellers zu bestätigen.

Datenblatt:

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Lagerbestand:: Nicht verfügbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Angebot anfordern

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	55 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	560 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HyperFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	45 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	45 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	60 ns
Serie:	IXFX55N50
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	120 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	45 ns
Gewicht pro Stück:	6 g