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IXFX64N60Q3

Name: IXYS IXFX64N60Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX64N60Q3
Price: 21.36 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFX64N60Q3

Herst.- Nr.:

IXFX64N60Q3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A

Datenblatt:

IXFX64N60Q3 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	64 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	95 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Qg - Gate-Ladung:	190 nC
Pd - Verlustleistung:	1.25 kW
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	300 ns
Serie:	IXFX64N60
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXFX64N60Q3 Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

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