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IXGA30N120B3

Name: IXYS IXGA30N120B3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXGA30N120B3
Price: 9.12 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXGA30N120B3

Herst.- Nr.:

IXGA30N120B3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs GenX3 1200V IGBT

Datenblatt:

IXGA30N120B3 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	3.05 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	60 A
Pd - Verlustleistung:	300 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	IXGA30N120
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	150 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	GenX3
Gewicht pro Stück:	2 g

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IXGA30N120B3 Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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