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IXGH50N90B2D1

Name: IXYS IXGH50N90B2D1
Brand: IXYS
SKU: 747-IXGH50N90B2D1
Price: 13.59 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXGH50N90B2D1

Herst.- Nr.:

IXGH50N90B2D1

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds

Datenblatt:

IXGH50N90B2D1 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247AD-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	900 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.7 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	75 A
Pd - Verlustleistung:	400 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	IXGH50N90
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	200 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	HiPerFAST
Gewicht pro Stück:	6.500 g

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Datenblatt

IXGH50N90B2D1 Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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