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IXGQ85N33PCD1

IXYS

Mouser-Nr.:

747-IXGQ85N33PCD1

Herst.- Nr.:

IXGQ85N33PCD1

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs 340 Amps 330V

Datenblatt:

IXGQ85N33PCD1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-3P-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	330 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	85 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	5.500 g

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Datenblatt

IXGQ85N33PCD1 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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