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IXTA180N10T

Name: IXYS IXTA180N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA180N10T
Price: 5.44 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTA180N10T

Herst.- Nr.:

IXTA180N10T

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds

Datenblatt:

IXTA180N10T Datenblatt

ECAD Model:

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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

IXTA180N10T-TRL

Verpackung:

Reel, Cut Tape

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 5.47

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.4 mOhms
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	480 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	31 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	54 ns
Serie:	IXTA180N10
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	42 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	33 ns
Gewicht pro Stück:	1.600 g

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Datenblatt

IXTA180N10T Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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