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IXTH1N170DHV

Name: IXYS IXTH1N170DHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH1N170DHV
Price: 16.26 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTH1N170DHV

Herst.- Nr.:

IXTH1N170DHV

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL

Datenblatt:

IXTH1N170DHV Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.7 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	16 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	47 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	290 W
Kanalmodus:	Depletion
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	216 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	38 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	130 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	46 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Standardmäßige n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs

IXYS Standard-Baureihe 500-V- bis 1.700-V-n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs sind Verarmungstyp-MOSFETs, die eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten erfordern. Die Module bleiben in oder über der Gate-Nullvorspannung, weisen aber sonst ähnliche Eigenschaften wie MOSFETs auf. Die Baureihe eignet sich hervorragend für die Pegelverschiebung, Solid State Relais, Stromregler und aktive Lasten.