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IXTH1N200P3HV

Name: IXYS IXTH1N200P3HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH1N200P3HV
Price: 8.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTH1N200P3HV

Herst.- Nr.:

IXTH1N200P3HV

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247HV

Datenblatt:

IXTH1N200P3HV Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	40 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	23.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	80 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	400 mS
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	26 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	37 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXTH1N200P3HV Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

2000V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 2000V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 0.6A to 3A. They are specifically designed to address high blocking voltage and high voltage packages.