IXTH1N250

Name: IXYS IXTH1N250
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH1N250
Price: 33.4 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTH1N250

Herst.- Nr.:

IXTH1N250

Herst.:

IXYS

Datenblatt:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	2.5 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	1.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	40 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	41 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	39 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1 mS
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	IXTH1N250
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	132 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	69 ns
Gewicht pro Stück:	6 g