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IXTH60N20X4

Name: IXYS IXTH60N20X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH60N20X4
Price: 10.57 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTH60N20X4

Herst.- Nr.:

IXTH60N20X4

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET

Datenblatt:

IXTH60N20X4 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	21 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	11 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	X4-Class
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	34 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	22 ns
Serie:	IXTx60N20X4
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	52 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns

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Datenblatt

IXTH60N20X4 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

IXT X4 200-V-Ultra-Junction-Leistungs-MOSFETs

IXYS IXT X4 200-V-Ultra-Junction-Leistungs-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-Bauteile mit entweder 10,6 mΩ, 13 mΩ, oder 21 mΩ R_DS(on) und einer maximalen Drain-Quelle-Spannung von 200 V. Die IXT-MOSFETs sind im TO-220-, TO-247-, TO-263- oder TO-268-Standardgehäuse mit Avalanche-Rating und hoher Leistungsdichte erhältlich. Die IXT X4 200-V-Ultra-Junction-Leistungs-MOSFETs von IXYS eignen sich hervorragend für den Einsatz in Schaltmodus- und Resonanzmodus-Netzteilen.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.