IXTH6N120

IXYS
747-IXTH6N120
IXTH6N120

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds

ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
6 A
2.4 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Abfallzeit: 18 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 33 ns
Serie: IXTH6N120
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 42 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 28 ns
Gewicht pro Stück: 6 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
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MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99